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       在外延成長領域，高純石墨盤是必不可少的。它在外延成長中起到加熱和裝載半導體晶圓的作用?，F(xiàn)在，主流外延設備廠商配套的石墨盤在結構上基本相同，均采用在石墨盤基座上規(guī)劃一個晶圓形狀的淺凹槽的方式來裝載晶圓。這種規(guī)劃在成長小尺度的晶圓(比如說4寸半導體晶圓)來說是合理的，保護起來也很方便。但對于成長大尺度的外延片，基于下降晶圓被旋轉(zhuǎn)的石墨盤甩出的風險，晶圓槽底部相對于石墨盤頂部的高度比小尺度石墨盤大一些。
這種規(guī)劃導致了成長大尺度外延片尤其是厚膜外延片出現(xiàn)了以下幾個問題：
        1.由于石墨盤與晶圓接觸區(qū)域較多，在成長厚膜外延片時，沉積的外延層會添加石墨盤與半導體晶圓的粘接，使得成長完成后將外延片從石墨盤中無損傷取出較為困難，乃至可能導致裂片。
        2.因晶圓邊際處較高的臺階使得該區(qū)域存在氣體湍流，容易滯留較多的成長氣體，然后使得外延片厚度和載流子濃度均勻性較差。
        3.因外延爐一般采用射頻感應加熱，熱量傳遞的方向是沿著石墨盤徑向從邊際到中心，使得石墨盤邊際的溫度高于中心區(qū)域的溫度，這在大尺度外延成長中尤為杰出。

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